三星闪存涨价100% 涨幅远超市场预期

1月25日消息，据媒体报道，今年第一季度，三星已将NAND闪存的供应价格上调超过100%，涨幅远超市场预期，凸显出当前半导体市场严重的供需失衡。

据行业知情人士透露，三星电子已于去年年底完成与主要客户的供应合同谈判，并从1月起执行新的价格体系。

此次调价紧随此前DRAM内存价格上涨近70%之后，成为存储市场又一个强烈的价格信号。目前，三星已开始与客户就第二季度NAND价格展开新一轮谈判，市场普遍预计涨价趋势仍将持续。

这一激烈调价背后，直接反映了AI基础设施建设对高性能存储设备的迫切需求。随着数据中心扩张带动企业级固态硬盘需求爆发，以及“端侧AI”推动手机、PC等设备向高容量存储升级，存储芯片需求正呈现指数级增长。

然而，供给端却未能同步跟进。在过去一年中，包括三星在内的主要制造商均未进行大规模产能扩张，整体投资策略保持审慎。

尽管未有公开减产，但行业出货量增长有限，加上制程转换带来的产能置换影响，实际有效供给远远落后于需求增长，导致市场陷入“有价无货”的局面。

存储芯片价格的剧烈波动正逐渐成为AI产业发展的制约因素。随着DRAM与NAND价格双双大幅上涨，AI基础设施的构建成本持续攀升。

业内已出现担忧声音，认为存储成本的高涨可能拖慢AI技术的普及进程。